NAND FLASH+SPI FLASH+EEPROM LG 32LF510B-ZB

[حسين الزاكي]

لسلام عليكم و رحمة الله و بركاته

NAND FLASH+SPI FLASH+EEPROM LG 32LF510B-ZB مسحوب و مجرب

NAND مسحوب ب PROMAN ثم أعدت كتابته في شريحة أخرى و إشتغل الجهاز

المبرمجة RT809H تتلف شحنة هذه الشريحة "TC58NVG0S3HTA00"

لأنها تحسب منطقة SPARE AREA
64 إلا أن قيمتها هي 128

LG 32LF510B-ZB
(MAIN BOARD : EAX66453203(1.0
panel : HC320DXN-SLNSD-5142
NAND FLASH : TC58NVG0S3HTA00
SPI FLASH : MX25L8005
EEPROM : 24C256

[lak72]

بارك الله فيك

[basim]

السلام عليكم
اخ حسين شكرا للملفات .. لكن هل تاكدت بشكل تام ان المبرمجة RT809H تتلف شحنة هذه الشريحة "TC58NVG0S3HTA00" ام انها تجربة لمرة واحدة فقط؟ يعني من لديه المبرمجة RT809H كيف سيتعامل مع هذه الشريحة

[zomba]

بارك الله فيك اخي لاكن Rt809h لاتتلف هذا النوع مجرب

[SAID]

السلام عليكم
المبرمجة RT809H كانت تتلف شحنة هذا النوع من الشرائح
لكن مع التحديثات الجديدة يمكن برمجتها بدون خوف
لقد قمت ببرمجتها عدة مرات بدون مشاكل

[zomba]

لاتتلف هذه الشريحة تم اصلاح الامر في التحديثات الاخيرة

[elkhayati]

الشريحة التي تتعرض للتلف عند قراءتها ب809 هي هذه tc58nvg2s0fta00

المبرمجة تفشل في التعرف عليها و تقرأها على أنها TC58NVG2S0HBAI4@BGA63

بمجرد قراءة الشريحة تتعرض للتلف